თენგიზ ხაჩიძე

დაამთავრა საქართველოს პოლიტექნიკური ინსტიტუტის საინჟინრო-ფიზიკური ფაკულტეტი ელექტრონული ტექნიკის ინჟინრის სპეციალობით 1984 წელს; მოსკოვის ელექტრონული ტექნიკის ინსტიტუტის მიკროელექტრონიკის ტექნოლოგიის ფიზიკა-ქიმიური საფუძვლების კათედრის ასპირანტურა 1991 წელს.

1984-1988წწ. ავტომატური სისტემების სამეცნიერო-კვლევითი ინსტიტუტი "სხივი", ინჟინერი; 1991 წლიდან მუშაობს საქართველოს ტექნიკურ უნივერსიტეტში: 1991-2011წწ. მიკროელექტრონიკის სამეცნიერო საინჟინრო ცენტრი, მეცნიერ თანამშრომელი, უფროსი მეცნერ თანამშრომელი, მთავარი მეცნიერ თანამშრომელი; 1993 წლიდან ფიზიკური მასალათმცოდნეობისა და ნახევარგამტარული მიკროელექტრონიკის კათედრა. საინჟინრო ფიზიკის დეპარტამენტი, სასწავლო ოსტატი, დოცენტი, ასისტენტ პროფესორი, ასოცირებული პროფესორი, ასისტენტ პროფესორი. მრავალი სამეცნიერო ნაშრომის ავტორი, ძირითადი მიმართულებები: ნახევარგამტარული ოპტოელექტრონიკა, მიკროელექტრონული და ნანოსენსორული ელემენტები და სისტემები, გამოქვეყნებული აქვს შრომები ჰელიოენერგეტიკაში. ტექნიკის მეცნიერებათა დოქტორი, პროფესორი.

წყარო: საქართველოს ტექნიკური ინსტიტუტის ვებგვერდი: my.gtu.ge

• ლაბორატორიული სამუშაოები ნახევარგამტარულ ოპტოელექტრონიკასა და ინტეგრალურ ოპტიკაში (თანაავტორი) // ნაწ.1. - თბილისი, ტექნ. უნ-ტი, 2009. - 81გვ.. - ISBN: 9789941143236