ალექსი გერასიმოვი

დაბადების ადგილი: ქ. თბილისი.

დაამთავრა თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტის ფიზიკის ფაკულტეტი 1959 წელს.

1959-1962წწ. იყო თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტის ასპირანტი; 1962-1965წწ. თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტის ფიზიკის ფაკულტეტის მეცნიერ-თანამშრომელი; 1965-1976წწ. ნახევრადგამტარულ ხელსაწყოთა სამეცნიერო კვლევითი ინსტიტუტის ლაბორატორიის გამგე; 1976-1982წწ. სამეცნიერო-კვლევითი ინსტიტუტ "მიონის" (ქარხნით) დირექტორის მოადგილე სამეცნიერო დარგში და მთავარი ინჟინერი; 1997-2003წწ. საქართველოს პრეზიდენტის თანაშემწე ეროვნებათაშორის საკითხებში; 1982-2006წწ. თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტის ნახევარგამტარული მიკროელექტრონიკის კათედრის გამგე, ნახევარგამტარული მიკროელექტორინიკის ფიზიკური საფუძვლების სამეცნიერო კვლევითი ლაბორატორიის ხელმძღვანელი; 2006-2010წწ. Gerasimov research Lab, Seattle, თბილისის ფილიალის აღმასრულებელი დირექტორი; 2010 წლიდან საქართველოს ტექნიკური უნივერსიტეტის ფიზიკის დეპარტამენტი. გამოქვეყნებული აქვს 232 სამეცნიერო სტატია, 2 მონოგრაფია, არის 9 პატენტისა და 1 სამეცნიერო აღმოჩენის ავტორი. ფიზიკა-მათემატიკის დოქტორი, პროფესორი.

საკანდიდატო დისერტაციის თემა - "რადიაციული დეფექტების გამოკვლევა T=77K-ზე ჩქარი ელექტრონებით და გამა-კვანტებით გასხივებულ გერმანიუმში", დაიცვა 1974 წელს(ლენინგრადი).

სადოქტორო დისერტაციის თემა - "წერტილოვანი დეფექტების მიგრაციის და ურთიერთქმედების მექანიზმი არამეტალური მასალების რადიაციულ ფიზიკაში", დაიცვა 1989 წელს(მოსკოვი).

წყარო: ვინ ვინაა საქართველოში: ქართული ბიოგრაფიული ცნობარი. –  თბ., 1998-1999. - გვ. 83; ქართული პრესის ელექტრონული არქივი: opentext.org.ge

• საქართველოს საბუნებისმეტყველო მეცნიერებათა აკადემია, წევრი
• საქართველოს საინჟინრო აკადემია, ნამდვილი წევრი

• 2005 - ილია ვეკუას სახელობის პრემია
• 1993 - აშშ-ის ფიზიკური საზოგადოების ჯილდო

• ნანოტექნოლოგიის საწყისები = Introduction to nanotechnology (ავტორი). - თბილისი, 185გვ., 2009. - ISBN: 978-9941-0-1105-4
• ნახევარგამტარული ხელსაწყოების შექმნის დაბალტემპერატურული ტექნოლოგიის საფუძვლები (ავტორი). - თბილისი, თბილ. უნ-ტის გამ-ბა, 2005. - 235გვ.