თამაზ ბუთხუზი

რამდენიმე გამოგონების ავტორი, რაც მოიცავს ნახევარგამტარებში არაწონასწორულ პირობებში დეფექტთა წარმოქმნის თეორიას. მისი რადიკალურ-სხივური ჰეტერირებადი კვაზიეპიტაქსიის მეთოდის გამოყენებით პირველადაა მიღებული როგორც თუთიის ოქსიდის უნიკალური, უდეფექტო იზოლარული, ასევე პ-ტიპის ფენები. ამ თეორიის გამოყენებით მსოფლიოში პირველად იქნა შესაძლებელი თუთიის ოქსიდის ელექტრო-ოპტიკური თვისებების მართვა. რეალურად მიღებული იქნა დროში ტემპერატურის და რადიაციის მიმართ მედეგი თუთიის ოქსიდი. ეს შედეგი ახალი თაობის მართვის სისტემების შექმნის საშუალებას იძლევა. გარდა ამისა, გამოქვეყნებული აქვს რიგი ნაშრომებისა სოციალურ ფილოსოფიაში. მისი სამეცნიერო კვლევის საგანია ფოტონ-ელექტრონული ურთიერთქმედება. ის არის ავტორი გამოგონებისა, რომელიც მოიცავს ნახევარგამტარებში არაწონასწორულ პირობებში დეფექტთა წარმოქმნის თეორიას. ამ თეორიის მიხედვით შექმნილია ნახევარგამტართა მიღებისა და მათი ელექტრო-ოპტიკური თვისებების მართვის ახალი, ორიგინალური მეთოდი - რადიკალურ-სხივური ჰეტერირებადი კვაზიეპიტაქსია. ამ მეთოდით პირველად იქნა გათვლილი ის კრიტიკული ტემპერატურის მნიშვნელობა, რომლის შემდეგ სისტემა თვისობრივად ახალ თვისებებს იძენს. რადიკალურ-სხივური ჰეტერირებადი კვაზიეპიტაქსიის მეთოდით მიღებული იქნა მზის ბატარეებში გამოყენებადი მაღალი მარგი ქმედების კოეფიციენტის (53-80%) მქონე მასალები ZnMnTeO.