თეიმურაზ ფაღავა

დაბადების ადგილი: ქ. აბაშა.

დაამთავრა საქართველოს პოლიტექნიკური ინსტიტუტის საინჟინრო-ფიზიკური ფაკულტეტი სპეციალობით ნახევარგამტარები და დიელექტრიკები 1970 წელს; 1972-1976 წლებში იყო სსრკ მეცნიერებათა აკადემიის ა. ა. ბაიკოვის სახელობის მეტალურგიული ინსტიტუტის ასპირანტი.

1976 წლიდან საქართველოს პოლიტექნიკური ინსტიტუტის / საქართველოს ტქნიკური უნივერსიტეტის თანამშრომელია; თანმიმდევრობით ეკავა საინჟინრო-ფიზიკური ფაკულტეტის ფიზიკის კათედრის / დეპარტამენტის ასისტენტის, დოცენტის, პროფესორის თანამდებობა; 1984-1990-წლებში იყო საინჟინრო-ფიზიკური ფაკულტეტის დეკანის მოადგილე სასწავლო დარგში; 2020 წელს მიენიჭა ემერიტუსის / დამსახურებული პროფესორის წოდება; გამოქვეყნებული აქვს 100-მდე სამეცნიერო სტატია ქართულ, რუსულ და ინგლისურ ენოვან ჟურნალებში, 3 მეთოდური ნაშრომი, 1 დამხმარე სახელმძღვანელო ზოგად ფიზიკაში და 1 მონოგრაფია; მისი ხელმძღვანელობით შესრულდა 2 დისერტაცია ფიზიკაში აკადემიური დოქტორის ხარისხის მოსაპოვებლად. ფიზიკა-მათემატიკურ მეცნიერებათა დოქტორი, პროფესორი.

საკანდიდატო დისერტაციის თემა - "ელექტრონებით და პროტონებით დასხივების გავლენის თავისებურებანი n-ტიპის სილიციუმის ელექტრულ თვისებებზე", დაიცვა 1976 წელს; სადოქტორო დისერტაციის თემა - "პირველადი რადიაციული დეფექტების თვისებები და მათი ურთიერთქმედება მინარეულ ატომებთან n- და p- ტიპის სილიციუმის დასხივებულ ან პლასტიკურად დეფორმირებულ კრისტალებში", დაიცვა 2003 წელს.

წყარო: საქართველოს მეცნიერებათა დოქტორები.- თბ.,2012

• Qualitative Model of Electrical Conductivity of Irradiated Semiconductor (ავტორი) // IgMin Research in science, April 12, Volume 2, Issue 4, 200-212. - 2024
• Special mechanism of conduction type inversion in plastically deformed n-Si (ავტორი) // "Eureka : Physics and Enginering", Number 4. - 2019
• ზოგადი ფიზიკის მოკლე კურსი : დამხმ. სახელმძღვანელო (ავტორი). - თბილისი, ტექნ. უნ-ტი, 2016. - 142გვ.. - ISBN: 9789941206429
• Nano-sized inclusions influence on semiconducting material : Proton-irradiated silicon (ავტორი) // American Journal of Materials Science, 3, 2. - 2013
• Quasi-Chemical reaction in irradiated silicon (ავტორი) // Eur.Chem. Bull, 2 (10), 8. - 2013
• Аномальное рассеяние электронов в облученных протонами кристаллах n-Si (ავტორი) // ФТП, т.44, вып.2. - Петербург, Изд-во «Наука», 2010
• Two mechanisms of annealing of divacancies in irradiated n-Si crystals (ავტორი) // Ukrainian Journal of Physics, vol.55, N.11. - 2010
• Влияние энергии фото-возбуждения в процессе электронного облучения на дефекто-образование в кристаллах n-Si (ავტორი) // ФТП, т.43, вып. 6. - Петербург, Изд-во «Наука», 2009
• რადიაციული დეფექტები ნახევარგამტარებში : სახელმძღვ. (ავტორი). - თბილისი, ტექნ. უნ-ტი, 2005. - 113გვ.. - ISBN: 9994035991
• Исследование рекомбинационных центров в облученных кристаллах р-Si (ავტორი) // ФТП, т.38, вып.6. - Петербург, Изд.- во «Наука», 2004
• Энергия миграции вакансий в кристаллах кремния p-типа (ავტორი) // ФТП, т.37, в.9. - Петербург, Изд.-во «Наука», 2003
• Влияние внешнего электрического поля и энергии облучения на образование пар френкеля в кристаллах кремния (ავტორი) // ФТП, т.33, в.8. - Ленинград, Изд-во «Наука», 1999
• Влияние интенсивности облучения на эффективность введения радиационных дефектов в кристаллах Si n- и p-типа (ავტორი) // ФТП, т.33, в.5. - Ленинград, Изд. «Наука», 1999
• ლაბორატორიული სამუშაოები ნახევარგამტარების ფიზიკაში (შემდგენელი). - თბილისი, 1985. - 78გვ.
• Влияние энергии Ферми на эффективность введения радиационных дефектов при электронном облучении кремния (ავტორი) // ФТП, т.10, в.7. - Ленинград, Изд. «Наука», 1976
• Эффект прилипания и аномальное рассеяние основных носителей на взаимодействующих центрах в пластически деформированном кремнии n-типа (ავტორი) // ЖЭТФ, т.69, в.12. - Москва, Изд-во «наука», 1975