ტარიელ აბაშიძე

დაბადების ადგილი: ქ. თბილისი.

დაამთავრა თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტის ფიზიკის ფაკულტეტი ელექტრონიკის სპეციალობით 1977 წელს.

1977-1984წწ. მუშაობდა სამეცნიერო კვლევით ინსტიტუტ "მიონში" ოპტოექლექტრონიკის განყოფილებაში. 1984 წლიდან თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტის მიკროელექტრონიკის დარგობრივი ლაბორატორიის უფროს მეცნიერ-თანამშრომლად. 2019 წლიდან მიკრო და ნანო ტექნოლოგიების ინსტიტუტის მეცნიერ-თანამშრომლად. სამუშაო მიმართულება ნახევარგამტარული მიკროელექტრონული ხელსაწყოების ტექნოლოგია.

წყარო: თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი: encyclopedia.tsu.ge