|
|  |
 |
МЕХАНИЗМЫ ИМПУЛЬСНОГО ФОТОННОГО ОТЖИГА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ С КОВАЛЕНТНЫМИ И СМЕШАННЫМИ СВЯЗЯМИ | Authors: | ДЖИБУТИ, ЗУРАБ | | Subjects: | физика конденсированных сред; | | DDC Subject: | Physics | | Table Of Contents: | Содержание;
Используемые в диссертационной работе сокращения и обозначения;
Введение;
ГЛАВА I АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ;
1.1.Ионная имплантация, как метод легирования полупроводников;
1.2.Рекристаллизация аморфизированных слоев Si и GaAs
импульсным лазерным воздействием;
1.3.Лазерный отжиг радиационных дефектов, в Si и GaAs;
Глава II. МЕХАНИЗМЫ ИМПУЛЬСНОГО ФОТОННОГО ОТЖИГА;
2.1. Тепловая модель лазерного отжига;
2.2. Модель холодного плазменного отжига;
2.3. Химические связи;
2.4 Модель неравновесного фазового перехода ковалентный
полупроводник-металл под воздействием лазерного излучения;
2.5 Модель фазового перехода твердое состояние-жидкость в
ковалентных полупроводниках;
Глава III. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА;
3.1. Исследуемый материал. Приготовление образцов;
3.2. Методики измерений;
3.3. Облучение высокоэнергетическими частицами; Термический и фотонный отжиги;
3.4. Установки импульсной фотонной обработки
полупроводниковых материалов и структур (УИФО 1-5);
3.5. Метод оценки интенсивности излучения в зависимости
от спектрального состава для УИФО;
3.6. Оценка температур нагрева полупроводников при импульсной фотонной обработке;
3.7. Оценка концентрации генерированных светом неравновесных носителей заряда в полупроводниках;
ГЛАВА IV. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ИМПУЛЬСНЫЙ ФОТОННЫЙ
ОТЖИГ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ (Si, GaAs, SiC, КНС);
4.1.Влияние лазерного воздействия на процесс рекристаллизации
аморфизированного GaAs ;
4.2.Низкотемпературный лазерный отжиг имплантированного
ионами Si ;
4.3. Лазерный отжиг радиационных дефектов в GaAs,
облученного электронами ;
4.4.Исследование процессов импульсного фотонного (лампового) отжига дефектов;
4.5. Влияние ИФО на внутренние механические напряжения в
кристаллах;
4.6. Плавление полупроводников при импульсном лазерном
воздействии;
4.7. Электронный механизм плавления полупроводников
- модель низкотемпературного лазерного отжига;
4.8. Обсуждение результатов эксперимента;
ГЛАВА V. ФОТО- И РАДИАЦИОННО-СТИМУЛИРОВАННЫЕ
ПРОЦЕССЫ В ТЕХНОЛОГИИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ;
5.1 Метод импульсной фотонной обработки в технологии
создания омических контактов, p-n переходов и легированны хобластей в полупроводниках;
5.2. Метод импульсной фотонной обработки в технологии
создания полевого транзистора с барьером Шоттки
на GaAs;
5.3. Радиационно-фотонные и радиационно-термические
процессы в технологиях полупроводниковой электроники.
Основные результаты и заключения;
Список работ опубликованных по теме диссертации;
Литература. | | Date of Issue: | 2006 | | Source: | Механизмы импульсного фотонного отжига в полупроводниках с ковалентными и смешанными связами / З. Джибути : Дис... докт.физ.-мат.наук 01.04.07 / ТГУ - Тб., 2006 – 233 с. : рис., табл. - - Библиогр.: с. 215-232; UDC: 538.9 + 621.382 | | Language: | Russian | | Extent Format: | 233 გვ. | | Created: | 2008-12-09 | | Modified: | 2008-12-09 |
|
|
Digital Library