|
|  |
 |
ერთიან ტექნოლოგიურ ციკლში GaAs სტრუქტურის მიღების პროცესის დამუშავება | ავტორები: | ხიზანიშვილი, შორენა | | თემატიკა: | ნახევარგამტარული ხელსაწყოები; | | დუის თემატიკა: | ტექნიკა & მომიჯნავე დარგები | | სარჩევი: | შესავალი ;
თავი 1. ლიტერატურული მიმოხილვა ;
თავი 2. აირადი ფაზის შემადგენლობის, ლეგირების დონის და ზრდის
სიჩქარის ტქნოლოგიურ პარამეტრებზე დამოკიდებულების
თერმოდინამიკური ანგარიში Ga-AsCl3-SiCl4-H2 სისტემაში ;
2.1. სისტემაში კომპონენტების პარციალური წნევის ანგარიში;
2.1.1. AsCl3, SiCl4 და H2 პარციალური წნევების ანგარიში რეაქტორის
შესასვლელზე;
.1.2. კომპონენტების პარციალური წნევის საანგარიშო განტოლებების
სისტემის შედგენა;
2.1.3. აირადი ფაზის შემადგენლობის ანგარიშის შედეგები;
2.2. ეპიტაქსიურ გალიუმის არსენიდში სილიციუმის შესვლის კოეფიციენტის
ანგარიში;
2.3. GaAs ეპიტაქსიური ფენების ზრდის სიჩქარის პროცესის პარამეტრებზე
დამოკიდებულების ანგარიში;
მე–2 თავის დასკვნები;
თავი 3. გარდამავალი ფენის სისქის შემცირების მეთოდის შემუშავება ;
3.1. აპარატურა და მასალები ;
3.2. კვლევის მეთოდიკა;
3.2.1. GaAs n და n+ ტიპის ეპიტაქსიური ფენების ზრდა;
3.2.2. აირადი მოწამვლის მეთოდი;
3.2.3. გალიუმის არსენიდის ეპიტაქსიური ფენების სისქის მიხედვით
დენის გადამტანების განაწილების პროფილების გადაღების მეთოდიკა ;
3.2.4. SiO2-ის დალექვა ეპიტაქსიური გალიუმის არსენიდის ზედაპირზე;
3.3. წინასწარი აირადი მოწამვლის (წ.ა.მ.) გავლენა მაღალომიანი
გარდამავალი ფენის სისქეზე ;
3.4. ეპიტაქსიის ტემპერატურის შემცირების გავლენა ფენების
კონცენტრაციულ პროფილზე;
3.5. ზრდისა და მოწამვლის სიჩქარის დამოკიდებულების კვლევა პროცესის
ხანგრძლივობაზე ;
3.6. გალიუმის არსენიდის ერთგვაროვანი ეპიტაქსიური ფენების მიღების
მეთოდის შემუშავება;
3.7. აირადი ფაზის შემადგენლობის გამოკვლევა (ზრ.-მოწ.-ზრ.) მეთოდით
G a A ზრდის პროცესისდროს;
მე-3 თავის დასკვნები ;
თავი 4.GaAs-SiO2-ის სტრუქტურების მიღების პროცესის შესწავლა
ერთიან ტექნოლოგიურ ციკლში ;
4.1. SiO -ის დიელექტრიკული ფენის მიღება;
4.1.1.SiO -ი2 ს ფენის სტრუქტურადა შემადგენლობის გამოკვლევა ;
4.1.2. ეპიტაქსიური გალიუმის არსენიდის და სილიციუმის ორჟანგის
დიელექტრიკული ფენების ზრდის შეთავსებული პროცესი ;
დასკვნები მე-4 თავისათვის ;
თავი 5. განნის დიოდების მიღების ტექნოლოგიის შემუშავება და მისი
გამოცდის შედეგები;
5.1. ზრდის და მოწამვლის სელექტიური პროცესების შემუშავება ;
5.2. შემუშავებული სტრუქტურების ბაზაზე დამზადებული განნის დიოდების
საწარმოო გამოცდების შედეგები ;
მე-5 თავის დასკვნები ;
ლიტერატურა. | | გამოცემის თარიღი: | 2012 | | წყარო: | ერთიან ტექნოლოგიურ ციკლში GaAs სტრუქტურის მიღების პროცესის დამუშავება / შ. ხიზანიშვილი; დის... დოქტ. აკად. ხარ. / საქ. ტექ. უნ-ტი; თბ., 2012 - 164 გვ. - - ბიბლიოგრ.: გვ. 150 -164. UDC : 621.315.592 | | ძირითადი ენა: | ქართული | | მოცულობა: | 164 გვ. | | შეიქმნა: | 2012-05-29 | | შესწორდა: | 2012-06-04 |
|
|
ციფრული ბიბლიოთეკა