The National Library of Georgia Home - About Library - E-Resources 
Digital Library  
dLibrary - Digital Library  [ ENG | GEO ]
Collections : დისერტაციები
Search:

Search Page »

 


Browse
» Home
» Collections
» Subjects

 

 

 

 

 

 

 

 

UID: dlib-0002-000521 

ერთიან ტექნოლოგიურ ციკლში GaAs სტრუქტურის მიღების პროცესის დამუშავება

Authors:ხიზანიშვილი, შორენა
Subjects:ნახევარგამტარული ხელსაწყოები;
DDC Subject:Engineering & allied operations
Table Of Contents:შესავალი ; თავი 1. ლიტერატურული მიმოხილვა ; თავი 2. აირადი ფაზის შემადგენლობის, ლეგირების დონის და ზრდის სიჩქარის ტქნოლოგიურ პარამეტრებზე დამოკიდებულების თერმოდინამიკური ანგარიში Ga-AsCl3-SiCl4-H2 სისტემაში ; 2.1. სისტემაში კომპონენტების პარციალური წნევის ანგარიში; 2.1.1. AsCl3, SiCl4 და H2 პარციალური წნევების ანგარიში რეაქტორის შესასვლელზე; .1.2. კომპონენტების პარციალური წნევის საანგარიშო განტოლებების სისტემის შედგენა; 2.1.3. აირადი ფაზის შემადგენლობის ანგარიშის შედეგები; 2.2. ეპიტაქსიურ გალიუმის არსენიდში სილიციუმის შესვლის კოეფიციენტის ანგარიში; 2.3. GaAs ეპიტაქსიური ფენების ზრდის სიჩქარის პროცესის პარამეტრებზე დამოკიდებულების ანგარიში; მე–2 თავის დასკვნები; თავი 3. გარდამავალი ფენის სისქის შემცირების მეთოდის შემუშავება ; 3.1. აპარატურა და მასალები ; 3.2. კვლევის მეთოდიკა; 3.2.1. GaAs n და n+ ტიპის ეპიტაქსიური ფენების ზრდა; 3.2.2. აირადი მოწამვლის მეთოდი; 3.2.3. გალიუმის არსენიდის ეპიტაქსიური ფენების სისქის მიხედვით დენის გადამტანების განაწილების პროფილების გადაღების მეთოდიკა ; 3.2.4. SiO2-ის დალექვა ეპიტაქსიური გალიუმის არსენიდის ზედაპირზე; 3.3. წინასწარი აირადი მოწამვლის (წ.ა.მ.) გავლენა მაღალომიანი გარდამავალი ფენის სისქეზე ; 3.4. ეპიტაქსიის ტემპერატურის შემცირების გავლენა ფენების კონცენტრაციულ პროფილზე; 3.5. ზრდისა და მოწამვლის სიჩქარის დამოკიდებულების კვლევა პროცესის ხანგრძლივობაზე ; 3.6. გალიუმის არსენიდის ერთგვაროვანი ეპიტაქსიური ფენების მიღების მეთოდის შემუშავება; 3.7. აირადი ფაზის შემადგენლობის გამოკვლევა (ზრ.-მოწ.-ზრ.) მეთოდით G a A ზრდის პროცესისდროს; მე-3 თავის დასკვნები ; თავი 4.GaAs-SiO2-ის სტრუქტურების მიღების პროცესის შესწავლა ერთიან ტექნოლოგიურ ციკლში ; 4.1. SiO -ის დიელექტრიკული ფენის მიღება; 4.1.1.SiO -ი2 ს ფენის სტრუქტურადა შემადგენლობის გამოკვლევა ; 4.1.2. ეპიტაქსიური გალიუმის არსენიდის და სილიციუმის ორჟანგის დიელექტრიკული ფენების ზრდის შეთავსებული პროცესი ; დასკვნები მე-4 თავისათვის ; თავი 5. განნის დიოდების მიღების ტექნოლოგიის შემუშავება და მისი გამოცდის შედეგები; 5.1. ზრდის და მოწამვლის სელექტიური პროცესების შემუშავება ; 5.2. შემუშავებული სტრუქტურების ბაზაზე დამზადებული განნის დიოდების საწარმოო გამოცდების შედეგები ; მე-5 თავის დასკვნები ; ლიტერატურა.
Date of Issue:2012
Source:ერთიან ტექნოლოგიურ ციკლში GaAs სტრუქტურის მიღების პროცესის დამუშავება / შ. ხიზანიშვილი; დის... დოქტ. აკად. ხარ. / საქ. ტექ. უნ-ტი; თბ., 2012 - 164 გვ. - - ბიბლიოგრ.: გვ. 150 -164. UDC : 621.315.592
Language:Georgian
Extent Format:164 გვ.
Created:2012-05-29
Modified:2012-06-04

 

IDObjectSizeFormat 
3206დისერტაცია (ქართ)  [164 გვ.]21,570KbAdobe PDF
3207ავტორეფერატი (ქართ) (ინგ)  [29 გვ.]3,581KbAdobe PDF

 

CopyRight © 2006
Created by David A. Mchedlishvili