The National Library of Georgia Home - About Library - E-Resources 
Digital Library  
dLibrary - Digital Library  [ ENG | GEO ]
Collections : დისერტაციები
Search:

Search Page »

 


Browse
» Home
» Collections
» Subjects

 

 

 

 

 

 

 

 

UID: dlib-0002-000528 

A3B5 ტიპის ნახევარგამტარული მასალების რადიაციული თვისებების შესწავლა

Authors:ხომასურიძე, დავით
Subjects:ნახევარგამტარების რადიაციული თვისებები;
DDC Subject:Physics
Table Of Contents:შესავალი ; თავი 1.ინდიუმის არსენიდის და ინდიუმის ფოსფიდის ბინარული ნაერთების თვისებები (ლიტერატურული მიმოხილვა); 1.1.ზოგადი თვისებები ; 1.2.ელექტრონების ენერგეტიკული სპექტრი, ინდიუმის არსენიდის და ინდიუმის ფოსფიდის ენერგეტიკული ზონები ; 1.3. ელექტრული თვისებები ; 1.3.1. III–V ნაერთების ელექტრული თვისებების თავისებურებანი ; 1.3.2. გაბნევის მექანიზმები ; 1.3.3. დენის მატარებელთა კონცენტრაცია ; 1.3.4 დასხივების გავლენა ელექტრულ თვისებებზე ; 1.4. დენის მატარებელთა გაბნევა სხვადასხვა ტიპის მოუწესრიგებელი უბნების მქონე ნახევარგამტარებში ; 1.4.1. არაერთგვაროვნობების ტიპები ; 1.4.2. ტექნოლოგიური წარმოშობის მოუწესრიგებელი არეები; დასკვნები ; თავი 2. მასალები და გაზომვის მეთოდები ; 2.1. ექსპერიმენტული ნიმუშები ; 2.2. ჰოლის ეფექტის და ელექტროგამტარობის გაზომვების მეთოდიკა ; 2.2.1. მეთოდის არსი ; 2.2.2. ნიმუშების მომზადება გაზომვებისთვის ; 2.2.3. გაზომვების ჩატარება ; 2.2.4. გაზომვების ცდომილება ; 2.3. ექსპერიმენტული დანადგარები ; 2.3.1 დაბალტემპერატურული გაზომვები 4.2-300 K ტემპერატურულ ინტერვალში ; 2.3.2 დაბალტემპერატურული გაზომვები 78-300K ტემპერატურულ ინტერვალში ; 2.4. ნიმუშების დასხივება ; 2.5. ნიმუშების გამოწვა ; შედეგები და მათი განსჯა ; თავი 3.ინდიუმის არსენიდის და ინდიუმის ფოსფიდის ელექტრული თვისებები ; 3.1. დენის მატარებელთა კონცენტრაცია ; 3.2. დენის მატარებელთა ძვრადობა ინდიუმის არსენიდში ; 3.3. დენის მატარებელთა ძვრადობა ინდიუმის ფოსფიდში ; 3.3.1. მუხტის მატარებელთა გაბნევის პრობლემა ნეიტრალურ მინარევზე ; 3.3.2. მუხტის მატარებელთა გაბნევის თავისებურებანი ელექტრულად ნეიტრალური მინარევების ატომებზე InP ნაერთში; თავი 4. ჩქარი ნეიტრონებით დასხივებული InAs–ით მდიდარი InAs- InP მყარი ხსნარების ელექტრული თვისებები ; 4.1. დენის მატარებელთა კონცენტრაცია ; 4.1.1 გამოწვამდე ; 4.1.2. იზოქრონული გამოწვა ; 4.2.2. იზოქრონული გამოწვა ; თავი 5. ჩქარი ნეიტრონებით დასხივებული InP –თი მდიდარი In As–InP მყარი ხსნარების ელექტრული თვისებები ; 5.1. დენის მატარებელთა კონცენტრაცია გამოწვამდე ; 5.2. დენის მატარებელთა ძვრადობა გამოწვამდე ; 5.3. იზოქრონული გამოწვა ; თავი 6. ტექნოლოგიური წარმოშობის მოუწესრიგებელი უბნების მქონე ინდიუმ ფოსფიდის კრისტალების ელექტრული თვისებები ; 6.1. დენის მატარებელთა კონცენტრაცია ; 6.2. დენის მატარებელთა ძვრადობა ; 6.2.1. დასხივებამდე ; 6. 2.2. დასხივება ; 6.2.3. „ეფექტური“ დენის მატარებელთა „ჰოლის ძვრადობა“; გამოყენებული ლიტერატურა.
Date of Issue:2012
Source:A3B5 ტიპის ნახევარგამტარული მასალების რადიაციული თვისებების შესწავლა / დ. ხომასურიძე; დის... დოქტ. აკად. ხარ. / ხელმძღვ.: ნოდარ კეკელიძე; საქ. ტექ. უნ-ტი; თბ., 2012 - 137 გვ. - - ბიბლიოგრ.: გვ. 129 -137. UDC : 537.311.33+621.315.59
Language:Georgian
Extent Format:137 გვ.
Created:2012-06-12
Modified:2012-06-14

 

IDObjectSizeFormat 
3247დისერტაცია (ქართ)  [137 გვ.]2,491KbAdobe PDF
3248ავტორეფერატი (ქართ) (ინგ)  [32 გვ.]543KbAdobe PDF

 

CopyRight © 2006
Created by David A. Mchedlishvili