|
|  |
 |
A3B5 ტიპის ნახევარგამტარული მასალების რადიაციული თვისებების შესწავლა | ავტორები: | ხომასურიძე, დავით | | თემატიკა: | ნახევარგამტარების რადიაციული თვისებები; | | დუის თემატიკა: | ფიზიკა | | სარჩევი: | შესავალი ;
თავი 1.ინდიუმის არსენიდის და ინდიუმის ფოსფიდის ბინარული ნაერთების თვისებები (ლიტერატურული მიმოხილვა);
1.1.ზოგადი თვისებები ;
1.2.ელექტრონების ენერგეტიკული სპექტრი, ინდიუმის არსენიდის და ინდიუმის ფოსფიდის ენერგეტიკული ზონები ;
1.3. ელექტრული თვისებები ;
1.3.1. III–V ნაერთების ელექტრული თვისებების თავისებურებანი ;
1.3.2. გაბნევის მექანიზმები ;
1.3.3. დენის მატარებელთა კონცენტრაცია ;
1.3.4 დასხივების გავლენა ელექტრულ თვისებებზე ;
1.4. დენის მატარებელთა გაბნევა სხვადასხვა ტიპის მოუწესრიგებელი უბნების მქონე ნახევარგამტარებში ;
1.4.1. არაერთგვაროვნობების ტიპები ;
1.4.2. ტექნოლოგიური წარმოშობის მოუწესრიგებელი არეები;
დასკვნები ;
თავი 2. მასალები და გაზომვის მეთოდები ;
2.1. ექსპერიმენტული ნიმუშები ;
2.2. ჰოლის ეფექტის და ელექტროგამტარობის გაზომვების მეთოდიკა ;
2.2.1. მეთოდის არსი ;
2.2.2. ნიმუშების მომზადება გაზომვებისთვის ;
2.2.3. გაზომვების ჩატარება ;
2.2.4. გაზომვების ცდომილება ;
2.3. ექსპერიმენტული დანადგარები ;
2.3.1 დაბალტემპერატურული გაზომვები 4.2-300 K ტემპერატურულ ინტერვალში ;
2.3.2 დაბალტემპერატურული გაზომვები 78-300K ტემპერატურულ ინტერვალში ;
2.4. ნიმუშების დასხივება ;
2.5. ნიმუშების გამოწვა ;
შედეგები და მათი განსჯა ;
თავი 3.ინდიუმის არსენიდის და ინდიუმის ფოსფიდის ელექტრული თვისებები ;
3.1. დენის მატარებელთა კონცენტრაცია ;
3.2. დენის მატარებელთა ძვრადობა ინდიუმის არსენიდში ;
3.3. დენის მატარებელთა ძვრადობა ინდიუმის ფოსფიდში ;
3.3.1. მუხტის მატარებელთა გაბნევის პრობლემა ნეიტრალურ მინარევზე ;
3.3.2. მუხტის მატარებელთა გაბნევის თავისებურებანი ელექტრულად ნეიტრალური მინარევების ატომებზე InP ნაერთში;
თავი 4. ჩქარი ნეიტრონებით დასხივებული InAs–ით მდიდარი InAs- InP მყარი ხსნარების ელექტრული თვისებები ;
4.1. დენის მატარებელთა კონცენტრაცია ;
4.1.1 გამოწვამდე ;
4.1.2. იზოქრონული გამოწვა ;
4.2.2. იზოქრონული გამოწვა ;
თავი 5. ჩქარი ნეიტრონებით დასხივებული InP –თი მდიდარი In As–InP მყარი ხსნარების ელექტრული თვისებები ;
5.1. დენის მატარებელთა კონცენტრაცია გამოწვამდე ;
5.2. დენის მატარებელთა ძვრადობა გამოწვამდე ;
5.3. იზოქრონული გამოწვა ;
თავი 6. ტექნოლოგიური წარმოშობის მოუწესრიგებელი უბნების მქონე ინდიუმ ფოსფიდის კრისტალების ელექტრული თვისებები ;
6.1. დენის მატარებელთა კონცენტრაცია ;
6.2. დენის მატარებელთა ძვრადობა ;
6.2.1. დასხივებამდე ;
6. 2.2. დასხივება ;
6.2.3. „ეფექტური“ დენის მატარებელთა „ჰოლის ძვრადობა“;
გამოყენებული ლიტერატურა. | | გამოცემის თარიღი: | 2012 | | წყარო: | A3B5 ტიპის ნახევარგამტარული მასალების რადიაციული თვისებების შესწავლა / დ. ხომასურიძე; დის... დოქტ. აკად. ხარ. / ხელმძღვ.: ნოდარ კეკელიძე; საქ. ტექ. უნ-ტი; თბ., 2012 - 137 გვ. - - ბიბლიოგრ.: გვ. 129 -137. UDC : 537.311.33+621.315.59 | | ძირითადი ენა: | ქართული | | მოცულობა: | 137 გვ. | | შეიქმნა: | 2012-06-12 | | შესწორდა: | 2012-06-14 |
|
|
ციფრული ბიბლიოთეკა