The National Library of Georgia Home - About Library - E-Resources 
Digital Library  
dLibrary - Digital Library  [ ENG | GEO ]
Collections : დისერტაციები
Search:

Search Page »

 


Browse
» Home
» Collections
» Subjects

 

 

 

 

 

 

 

 

UID: dlib-0002-000566 

გერმანიუმ-სილიციუმის მონოკრისტალური შენადნობების ელექტროფიზიკური და ფიზიკურ-მექანიკური თვისებები

Authors:არჩუაძე, გიორგი
Subjects:მონოკრსტალური შენადნობები;
DDC Subject:Chemical engineering
Table Of Contents:ცხრილების ნუსხა; ნახაზების ნუსხა; შესავალი; 1. ლიტერატურული მიმოხილვა; 1.1. ულტრაბგერების შთანთქმის პროცესები გერმანიუმის კრისტალებში; 1.2. მექანიკური რელაქსაციური პროცესები გერმანიუმის კრისტალებში; 1.3. დისლოკაციები გერმანიუმის სტრუქტურაში; 1.4. დისლოკაციების ძვრადობა Ge და Ge-Si მონოკრისტალებში; 1.5. დისლოკაციების ელექტრული აქტიურობა მონოკრისტალურ Ge-Si შენადნობებში; 2. შედეგები და მათი განსჯ; 2.1. Ge-Si შენადნობების მიღება და კვლევის მეთოდები; 2.1.1. Ge-Si შენადნობების მიღების მეთოდიკა; 2.1.2. მიკროსტრუქტურის კვლევის მეთოდიკა; 2.1.3. ელექტროფიზიკური მახასიათებლების გაზომვის მეთოდიკა; 2.1.4. მიკროსისალის განსაზღვრა; 2.1.5. თერმული გაფართოების კვლევა დილატომეტრული მეთოდით; 2.1.6. შინაგანი ხახუნისა და ძვრის მოდულის გაზომვის მეთოდი; 2.2. Ge-Si შენადნობების მიკროსტრუქტურა, ელექტროფიზიკური და ფიზიკურ-მექანიკური თვისებები; 2.2.1. Ge-Si შენადნობების მიკროსტრუქტურა; 2.2.2. Ge-Si შენადნობების ელექტროფიზიკური მახასიათებლები; 2.2.3. მონოკრისტალური Ge-Si შენადნობების მიკროსისალე; 2.2.4 მონოკრისტალური Ge1-xSix (x≤0,02) შენადნობების თერმული გაფართოება; 2.3. მონოკრისტალური გერმანიუმის არადრეკადი თვისებები; 2.3.1. მონოკრისტალური გერმანიუმის ძვრის მოდულისა და შინაგანი ხახუნის ტემპერატურული სპექტრი; 2.3.2. რელაქსაციური პროცესები ბორით ლეგირებულ გერმანიუმის მონოკრისტალში; 2.3.3. რელაქსაციური პროცესები დარიშხანით ლეგირებულ გერმანიუმის მონოკრისტალში; 2.4. მონოკრისტალური Ge-Si შენადნობების ფიზიკურ-მექანიკური თვისებები; 2.4.1. თერმული დამუშავებისა და გრეხითი დეფორმაციის გავლენა მონოკრისტალური Ge-Si შენადნობების ფიზიკურ-მექანიკურ თვისებებზე; 2.4.2. მექანიკური რელაქსაციური პროცესები ბორით ლეგირებულ მონოკრისტალურ Ge0,99Si0,01 შენადნობში; 2.4.3. კრისტალოგრაფიული ორიენტაციის გავლენა Ge-Si შენადნობების ძვრის მოდულზე; 2.5. Ge-Si სისტემის კრისტალების არადრეკადი მახასიათებლების ამპლიტუდური დამოკიდებულება; 2.5.1. მსხვილმარცვლოვანი გერმანიუმის შინაგანი ხახუნისა და ძვრის მოდულის ამპლიტუდური დამოკიდებულება; 2.5.2. Ge-Si შენადნობების შინაგანი ხახუნისა და ძვრის მოდულის ამპლიტუდური დამოკიდებულება; დასკვნა; გამოყენებული ლიტერატურის ნუსხა.
Date of Issue:2012
Source:გერმანიუმ-სილიციუმის მონოკრისტალური შენადნობების ელექტროფიზიკური და ფიზიკურ-მექანიკური თვისებები / გ. არჩუაძე; დის... დოქტ. აკად. ხარ. / ხელმძღვ.: გიორგი დარსაველიძე; საქ. ტექ. უნ-ტი; თბ., 2012 - 145 გვ. - - ბიბლიოგრ.: გვ. 137 -145. UDC : 669.172
Language:Georgian
Extent Format:145 გვ.
Created:2012-07-13
Modified:2012-07-13

 

IDObjectSizeFormat 
3355დისერტაცია (ქართ)  [145 გვ.]8,297KbAdobe PDF
3356ავტორეფერატი (ქართ)(ინგ)  [26 გვ.]1,417KbAdobe PDF

 

CopyRight © 2006
Created by David A. Mchedlishvili