|
|  |
 |
გერმანიუმ-სილიციუმის მონოკრისტალური შენადნობების ელექტროფიზიკური და ფიზიკურ-მექანიკური თვისებები | ავტორები: | არჩუაძე, გიორგი | | თემატიკა: | მონოკრსტალური შენადნობები; | | დუის თემატიკა: | ქიმიური მრეწველობა | | სარჩევი: | ცხრილების ნუსხა;
ნახაზების ნუსხა;
შესავალი;
1. ლიტერატურული მიმოხილვა;
1.1. ულტრაბგერების შთანთქმის პროცესები გერმანიუმის
კრისტალებში;
1.2. მექანიკური რელაქსაციური პროცესები გერმანიუმის
კრისტალებში;
1.3. დისლოკაციები გერმანიუმის სტრუქტურაში;
1.4. დისლოკაციების ძვრადობა Ge და Ge-Si მონოკრისტალებში;
1.5. დისლოკაციების ელექტრული აქტიურობა მონოკრისტალურ Ge-Si შენადნობებში;
2. შედეგები და მათი განსჯ;
2.1. Ge-Si შენადნობების მიღება და კვლევის მეთოდები;
2.1.1. Ge-Si შენადნობების მიღების მეთოდიკა;
2.1.2. მიკროსტრუქტურის კვლევის მეთოდიკა;
2.1.3. ელექტროფიზიკური მახასიათებლების გაზომვის
მეთოდიკა;
2.1.4. მიკროსისალის განსაზღვრა;
2.1.5. თერმული გაფართოების კვლევა დილატომეტრული
მეთოდით;
2.1.6. შინაგანი ხახუნისა და ძვრის მოდულის
გაზომვის მეთოდი;
2.2. Ge-Si შენადნობების მიკროსტრუქტურა, ელექტროფიზიკური და ფიზიკურ-მექანიკური თვისებები;
2.2.1. Ge-Si შენადნობების მიკროსტრუქტურა;
2.2.2. Ge-Si შენადნობების ელექტროფიზიკური
მახასიათებლები;
2.2.3. მონოკრისტალური Ge-Si შენადნობების მიკროსისალე;
2.2.4 მონოკრისტალური Ge1-xSix (x≤0,02) შენადნობების თერმული გაფართოება;
2.3. მონოკრისტალური გერმანიუმის არადრეკადი თვისებები;
2.3.1. მონოკრისტალური გერმანიუმის ძვრის მოდულისა
და შინაგანი ხახუნის ტემპერატურული სპექტრი;
2.3.2. რელაქსაციური პროცესები ბორით ლეგირებულ გერმანიუმის მონოკრისტალში;
2.3.3. რელაქსაციური პროცესები დარიშხანით ლეგირებულ გერმანიუმის მონოკრისტალში;
2.4. მონოკრისტალური Ge-Si შენადნობების ფიზიკურ-მექანიკური თვისებები;
2.4.1. თერმული დამუშავებისა და გრეხითი დეფორმაციის გავლენა მონოკრისტალური Ge-Si შენადნობების ფიზიკურ-მექანიკურ თვისებებზე;
2.4.2. მექანიკური რელაქსაციური პროცესები ბორით
ლეგირებულ მონოკრისტალურ Ge0,99Si0,01 შენადნობში;
2.4.3. კრისტალოგრაფიული ორიენტაციის გავლენა Ge-Si შენადნობების ძვრის მოდულზე;
2.5. Ge-Si სისტემის კრისტალების არადრეკადი
მახასიათებლების ამპლიტუდური დამოკიდებულება;
2.5.1. მსხვილმარცვლოვანი გერმანიუმის შინაგანი ხახუნისა
და ძვრის მოდულის ამპლიტუდური დამოკიდებულება;
2.5.2. Ge-Si შენადნობების შინაგანი ხახუნისა და
ძვრის მოდულის ამპლიტუდური დამოკიდებულება;
დასკვნა;
გამოყენებული ლიტერატურის ნუსხა. | | გამოცემის თარიღი: | 2012 | | წყარო: | გერმანიუმ-სილიციუმის მონოკრისტალური შენადნობების ელექტროფიზიკური და ფიზიკურ-მექანიკური თვისებები / გ. არჩუაძე; დის... დოქტ. აკად. ხარ. / ხელმძღვ.: გიორგი დარსაველიძე; საქ. ტექ. უნ-ტი; თბ., 2012 - 145 გვ. - - ბიბლიოგრ.: გვ. 137 -145. UDC : 669.172 | | ძირითადი ენა: | ქართული | | მოცულობა: | 145 გვ. | | შეიქმნა: | 2012-07-13 | | შესწორდა: | 2012-07-13 |
|
|