|
|  |
 |
ზოგიერთი იშვიათმიწა ელემენტის ჰალკოგენიდებისა და პნიქტიდების თხელი ფირების მიღება და ფიზიკური თვისებები | ავტორები: | ტეტელოშვილი, მზია | | თემატიკა: | იშვიათმიწა ელემენტები; | | დუის თემატიკა: | ქიმია & მომიჯნავე მეცნიერებები | | სარჩევი: | შესავალი;
თავი I;
ლიტერატურის მიმოხილვა ;
1.1 ზოგიერთი იმე გოგირდი, იმე სელენი და იმე ბისმუტი მდგომარეობის ფაზური დიაგრამები ;
1.1.1. ზოგიერთი იმე-გოგირდი სისტემის მდგომარეობის ფაზური დიაგრამები ;
1.1.2. ზოგიერთი იმე-სელენი სისტემის მდგომარეობის ფაზური დიაგრამები;
1.1.3 იმე-ბისმუტის მდგომარეობის დიაგრამა;
1.2. იშვიათმიწა ელემენტების სულფიდების, სელენიდებისა და ბისმუტიდების მოცულობითი კრისტალების და ფირების მიღება ;
1.3. თულიუმის სულფიდების, სელენიდებისა და ლანთანის ბისმუტიდების კრისტალური სტრუქტურა ;
1.4. იშვიათმიწა ელემენტების ჰალკოგენიდებისა და ბისმუტიდების ქიმიური თვისებები;
1.5. იშვიათმიწა ელემენტების ჰალკოგენიდებისა და ბისმუტიდების ფიზიკური და ოპტიკური თვისებები;
1.6. I თავის დასკვნები. სადისერტაციო ნაშრომის მიზანი და ამოცანები ;
თავი II.
ფირების მიღების ტექნოლოგიური, მაკონტროლებელი და ფიზიკური თვისებების გასაზომი დანადგარები და გაზომვის მეთოდიკა .
2.1. ვაკუუმურ-თერმული აორთქლების მეთოდით ფირების მოსამზადებელი დანადგარები;
2.2 ფუძეშრის გაწმენდა;
2.3. ფირების სისქის კონტროლი;
2.4 ფირების რენტგენოდიფრაქციული და ელექტრონოგრაფიული კვლევის მეთოდები;
2.5 ქიმიური შემადგენლობის კვლევის მეთოდიკა;
2.6 ელექტროფიზიკური კვლევის მეთოდები;
2.7 თერმო ელექტრო მამოძრავებელი ძალის გაზომვა;
2.8 ოპტიკური და ფოტოელექტრული თვისებების კვლევის მეთოდიკა;
თავი III .
იშვიათმიწა ელემენტების სულფიდების, სელენიდებისა და ბისმუტიდების თხელი ფირების მიღების ტექნოლოგია, კრისტალური სტრუქტურა, ფაზური და ქიმიური ანალიზი;
3.1. ვაკუუმურ-თერმული აორთქლებით თხელი ფირების მიღების მეთოდები და ტექნოლოგიური თავისებურებანი;
3.2. თულიუმის ერთნახევრიანი სულფიდის ფირების მიღება;
3.3. თულიუმის ერთნახევრიანი სულფიდის ფირების მალეგირებელი მინარევის შერჩევა და ლეგირების მეთოდები ;
3.4. თულიუმის მონოსულფიდის თხელი ფირების მიღება;
3.5. თულიუმის მონოსელენიდის თხელი ფირების მიღება ;
3.6. ლანთანის ბისმუტთან შენაერთების ფირების მიღება ;
3.7. ელექტრო-საკონტაქტო მოედნების დაფენის ტექნოლოგია;
3.8. III თავის დასკვნები;
თავი IV.
სილიციუმით ლეგირებული -Tm2S3-ის თხელი ფირების ფოტოელექტრული და ელექტროფიზიკური თვისებები. TmS, TmSe და LaBi ელექტროფიზიკური და ოპტიკური თვისებები.
4.1 სილიციუმით ლეგირებული -Tm2S3-ის თხელი ფირების ელექტროფიზიკური და ფოტოელექტრული თვისებები.
4.2. თულიუმის მონოსულფიდის თხელი ფირების ელექტროფიზიკური თვისებები;
4.3. თულიუმის მონოსელენიდის თხელი ფირების ელექტროფიზიკური და ოპტიკური თვისებები;
4.4. ლანთანის ბისმუტიდების თხელი ფირების ელექტროფიზიკური თვისებები;
4.5. თულიუმის ერთნახევრიანი და მონოსულფიდების, თულიუმის მონოსელენდის, ლანთანის ბისმუტიდების ფარდობითი მექანიკური სიმტკიცე;
4.6. IV თავის დასკვნები ;
დასკვნები;
გამოყენებული ლიტერატურა. | | გამოცემის თარიღი: | 2015 | | წყარო: | ზოგიერთი იშვიათმიწა ელემენტის ჰალკოგენიდებისა და პნიქტიდების თხელი ფირების მიღება და ფიზიკური თვისებები/ მ. ტეტელოშვილი; დის...დოქტ. აკად. ხარ./სამეცნ.ხელმძღვ.:ზაურ ჯაბუა; საქ. ტექნიკური უნ–ტი; თბ., 2015-168 გვ. -- ბიბლიოგრ.: 165-168 . UDC: 546. 65+61.865 | | ძირითადი ენა: | ქართული | | მოცულობა: | 168 გვ. | | შეიქმნა: | 2015-07-08 | | შესწორდა: | 2015-07-08 |
|
|
ციფრული ბიბლიოთეკა