|
|  |
 |
რადიაციული ზემოქმედების გავლენა მონოკრისტალური Si-Ge შენადნობების სტრუქტურასა და ფიზიკურ-მექანიკურ თვისებებზე | ავტორები: | სიჭინავა, ავთანდილ | | თემატიკა: | სოლიციუმი მონოკრისტალური, გერმანიუმი მონოკრისტალური, ლეგირება; | | დუის თემატიკა: | ქიმიური მრეწველობა | | სარჩევი: | ნახაზების ნუსხა;
ცხრილების ნუსხა;
შესავალი;
1.ლიტერატურული მიმოხილვა;
1.1. დისლოკაციების დინამიკა SiGe შენადნობებში;
1.2. გერმანიუმის გავლენა ჩოხრალსკის მეთოდით მიღებულ სილიციუმის ფუძეშრეების მექანიკურ თვისებებზე;
1.3. მიკროსისალის თავისებურებანი გერმანიუმსა და სილიციუმში;
1.4. Si-Ge შენადნობების p-n სტრუქტურების რადიაციული მედეგობა;
2. შედეგები და მათი განსჯა;
2.1. Si-Ge შენადნობების მიღება და კვლევის მეთოდები;
2.1.1. Si-Ge შენადნობების მიღება;
2.1.2. Si-Ge ფუძეშრეებზე p-n გადასასვლელების შექმნის მეთოდიკა;
2.1.3. მეტალური კონტაქტების შექმნის თანმიმდევრობა;
2.1.4 ნიმუშების ზედაპირების მომზადების მეთოდიკა;
2.1.5. მიკროსტრუქტურის კვლევის მეთოდიკა;
2.1.6. ელექტროფიზიკური მახასიათებლების გაზომვის მეთოდიკა;
2.1.7. დინამიური მიკროსისალისა და ინდენტირების მოდულის განსაზღვრის მეთოდი;
2.1.8. შინაგანი ხახუნისა და ძვრის მოდულის გაზომვის მეთოდი;
2.1.9.ინფრაწითელ დიაპაზონში ფოტომგრძნობიარობის სპექტრების გაზომვის მეთოდიკა;
2.2. კვლევის შედეგები;
2.2.1. მონოკრისტალური Si+2ატ%Ge შენადნობის მასიური კრისტალების ფიზიკურ-მექანიკური თვისებები;
2.2.2. ბორით ლეგირების გავლენა Si+2ატ.%Ge მონოკრისტალური შენადნობის არადრეკად თვისებებზე;
2.2.3. ზედაპირების დამუშავების გავლენა მონოკრისტალური Si-Ge შენადნობების მიკროსტრუქტურასა და ძვრის მოდულზე;
2.2.4. მონოკრისტალური Si-Ge შენადნობების შინაგანი ხახუნისა და ძვრის დინამიური მოდულის ამპლიტუდური დამოკიდებულება;
2.2.5. გერმანიუმის გავლენა Si-Ge მონოკრისტალური ფუძეშრეების არადრეკად თვისებებზე;
2.2.6. გერმანიუმის გავლენა მონოკრისტალური სილიციუმის მიკროსისალეზე;
2.2.7. Si-Ge ფუძეშრეების არგონის იონებით დასხივების პარამეტრების გათვლები TRIM-2012 პროგრამით;
2.2.8. არგონის იონებით დასხივებისა და სწრაფი თერმული მოწვის გავლენა Si-Ge ფუძეშრეების მიკროსისალესა და დრეკადობის მოდულზე;
2.2.9. მაღალენერგეტიკული ელექტრონებით დასხივების გავლენა Si-Ge ფუძეშრეებისა და p-n გადასასვლელების მიკროსისალესა და დრეკადობის მოდულზე;
2.2.10. Si-Ge ფუძეშრეებზე შექმნილი p-n გადასასვლელების ფოტომგრძნობიარობის სპექტრები;
დასკვნა;
გამოყენებული ლიტერატურის ნუსხა. | | გამოცემის თარიღი: | 2015 | | წყარო: | რადიაციული ზემოქმედების გავლენა მონოკრისტალური Si-Ge შენადნობების სტრუქტურასა და ფიზიკურ-მექანიკურ თვისებებზე/ა.სიჭინავა; დის...დოქტ. აკად. ხარ. სამეცნ.ხელმძღვ.: გიორგი დარსაველიძე; საქ. ტექნიკური უნ–ტი; თბ., 2015-149 გვ. -- ბიბლიოგრ.: 146-149. UDC: 669.78+669.046.512 | | ძირითადი ენა: | ქართული | | მოცულობა: | 149 გვ. | | შეიქმნა: | 2015-10-27 | | შესწორდა: | 2015-10-27 |
|
|
ციფრული ბიბლიოთეკა