|
|  |
 |
ბორითა და გერმანიუმით ლეგირებული სილიციუმის ფუძეშრეების სტრუქტურული და ელექტროფიზიკური თვისებები | ავტორები: | ტაბატაძე, იაშა | | თემატიკა: | ლეგირებული სილიციუმი, ბორი, გერმანიუმი; | | დუის თემატიკა: | ქიმიური მრეწველობა | | სარჩევი: | ნახაზების ნუსხა;
ცხრილების ნუსხა;
შესავალი;
1.ლიტერატურული მიმოხილვა;
1.1 მსხვილმარცვლოვანი სილიციუმის მიკროსტრუქტურის თავისებურებანი;
1.2 მსხვილმარცვლოვანი სილიციუმის მარცვლების საზღვრების მდგომარეობა;
1.3 Si-Ge შენადნობების ელექტრული თვისებები;
1.4 დენის მატარებლების ძვრადობა Si-Ge შენადნობებში;
1.5 გერმანიუმის გავლენა ბორ-ჟანგბადის კომპლექსებზე p-ტიპის სილიციუმში;
1.6 ძლიერად ლეგირებული Si-Ge კრისტალების რეალური სტრუქტურის თავისებურებანი; 1.7 გერმანიუმის გავლენა ჟანგბადის პრეციპიტაციაზე სილიციუმში;
1.8 გერმანიუმის გავლენა ბორ-ჟანგბადის დეფექტების გენერაციასა და დისოციაციაზე;
1.9Si-Ge შენადნობების ფუძეშრეებად გამოყენების პერსპექტივები;
1.10 ტემპერატურის გავლენა სილიციუმის სტრუქტურულ თვისებებზე;
1.11 ფაზური გადასვლები ელემენტარულ ნახევარგამტარებში;
2. შედეგები და განსჯა;
2.1. Si-Ge შენადნობების მიღება და კვლევის მეთოდები;
2.1.1. Si-Geშენადნობების ფუძეშრეების შექმნა;
2.1.2. Si-Ge ფუძეშრეებზე p-n გადასასვლელების შექმნა;
2.1.3. მეტალური კონტაქტების შექმნა;
2.1.4. მიკროსტრუქტურის კვლევის მეთოდიკა;
2.1.5. მასიური ნიმუშების ელექტროწინააღმდეგობის გაზომვის მეთოდიკა;
2.1.6. მასიური ნიმუშების დენის მატარებლების კონცენტრაციისა და ძვრადობის განსაზღვრა ჰოლის ეფექტის გაზომვით;
2.1.7 თხელი ფენების ელექტროფიზიკური მახასიათებლების განსაზღვრა ჰოლის ეფექტის გაზომვის ვან დერ პაუს მეთოდით;
2.1.8. თხელი ფენების სისქის განსაზღვრა;
2.1.9. მზის ენერგიის გარდამქმნელების ვოლტ-ამპერული მახასიათებლების განსაზღვრა;
2.1.10. შინაგანი ხახუნისა და ძვრის მოდულის გაზომვის მეთოდი;
2.1.11. თერმული გაფართოების კვლევის დილატომეტრული მეთოდი;
2.2. კვლევის შედეგები;
2.2.1 Si1-xGex (x≤0,02) შენადნობების მასიური კრისტალების კვლევის მეტალოგრაფიული მეთოდი;
2.2.2. მექანიკური დამუშავებისა და გერმანიუმის გავლენა Si-Ge შენადნობების ელექტრულ მახასიათებლებზე;
2.2.3 მაღალტემპერატურული თერმული დამუშავების გავლენა p-ტიპის Si1-xGex (x0,02) მასიური კრისტალების ელექტროგამტარობის ტემპერატურულ დამოკიდებულებაზე;
2.2.4 p-ტიპის Si1-xGex(x≤0,02) მასიური კრისტალების თერმული გაფართოება 20-800°C ტემპერატურულ ინტერვალში;
2.2.5. Si-Ge შენადნობების შინაგანი ხახუნისა და ძვრის მოდულის დაბალტემპერატურული სპექტრები;
2.2.6. პოლიკრისტალური Si+2ატ%Ge:Er –ის მიკროსტრუქტურა და ელექტროფიზიკური თვისებები;
2.2.7. არგონის იონებით დასხივების გავლენა Si-Ge ფუძეშრეების ელექტროფიზიკურ მახასიათებლებზე;
2.2.8. Si1-xGex (x≤0,02) მასიური კრისტალების ფუძეშრეებზე p-n გადასასვლელების შექმნა და ვოლტ-ამპერული მახასიათებლების კვლევა;
დასკვნა;
გამოყენებული ლიტერატურის ნუსხა. | | გამოცემის თარიღი: | 2015 | | წყარო: | ბორითა და გერმანიუმით ლეგირებული სილიციუმის ფუძეშრეების სტრუქტურული და ელექტროფიზიკური თვისებები/ ი. ტაბატაძე; დის...დოქტ. აკად. ხარ. სამეცნ.ხელმძღვ.: გიორგი დარსაველიძე; საქ. ტექნიკური უნ–ტი; თბ., 2015-139 გვ. -- ბიბლიოგრ.: 135-139. UDC: 669.78+669.046.512 | | ძირითადი ენა: | ქართული | | მოცულობა: | 139 გვ. | | შეიქმნა: | 2015-10-27 | | შესწორდა: | 2015-10-27 |
|
|
ციფრული ბიბლიოთეკა