E. high-density plasma etchingRus. травлениеплазмой высокой плотност პლაზმით ამოჭმა 1011იდან 1012-ამდე იონ/სმ3 სიმკვრივის იონების ნაკადით, რომელიც მიიღება ელექტრონულ-ციკლოტრონული რეზონანსის საფუძველზე პლაზმის ჰელიკონური წყაროთი, მაგნეტრონით ან ინდუქციურად წარმოქმნილი პლაზმით.
Source: ნანომეცნიერებისა და ნანოტექნოლოგიების ტერმინთა განმარტებითი ლექსიკონი: ქართულ-ინგლისურ-რუსული/ომარ შურაძე. საქართველოს პარლამენტის ეროვნული ბიბლიოთეკა. თბილისი 2022